SIT8209AI-8F-25S-133.333330Y متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SIT8209AI-8F-25S-133.333330Y، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SIT8209AI-8F-25S-133.333330Y عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SIT8209AI-8F-25S-133.333330Y مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SIT8209AI-8F-25S-133.333330Y
- رقم القطعة:
- SIT8209AI-8F-25S-133.333330Y
- الصانع:
- SiTime
- وصف:
- -40 TO 85C, 7050, 10PPM, 2.5V, 1
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45560 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SIT8209AI-8F-25S-133.333330Y.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 2.5V |
| اكتب: | XO (Standard) |
| حجم / البعد: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| سلسلة: | SiT8209 |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 4-SMD, No Lead |
| الناتج: | LVCMOS, LVTTL |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 5 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.039" (1.00mm) |
| وظيفة: | Standby (Power Down) |
| تردد الاستقرار: | ±10ppm |
| تردد: | 133.33333MHz |
| وصف تفصيلي: | 133.33333MHz XO (Standard) LVCMOS, LVTTL Oscillator 2.5V Standby (Power Down) 4-SMD, No Lead |
| الحالي - توريد (ماكس): | 36mA |
| الحالي - توريد (تعطيل) (ماكس): | 70µA |
| الرنان الأساسي: | MEMS |
| نطاق السحب المطلق (أبريل): | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIT8209AI-8F-25S-133.333330Y
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة