SIT8009BCT82-33E-121.400000Y - موزع تخزين المكونات الإلكترونية أشباه الموصلات

SIT8009BCT82-33E-121.400000Y

رقم القطعة:: SIT8009BCT82-33E-121.400000Y

الصانع:: SiTime

وصف:: OSC MEMS 121.4000MHZ LVCMOS SMD

حالة خالية من الرصاص:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية المخزون:: 20614 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

المهلة:: 4-8 weeks

ورقة البيانات:: SIT8009BCT82-33E-121.400000Y.pdf

تحقيق

المقدمة

SIT8009BCT82-33E-121.400000Y متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SIT8009BCT82-33E-121.400000Y، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SIT8009BCT82-33E-121.400000Y عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SIT8009BCT82-33E-121.400000Y مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New & Original, tested
بلد المنشأ	Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية	Send by email
الجهد - توريد:	3.3V
اكتب:	XO (Standard)
حجم / البعد:	0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
سلسلة:	SiT8009B
تصنيفات:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	4-SMD, No Lead
الناتج:	HCMOS, LVCMOS
درجة حرارة التشغيل:	-20°C ~ 70°C
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	8 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
ارتفاع - جلوسا (ماكس):	0.039" (1.00mm)
وظيفة:	Enable/Disable
تردد الاستقرار:	±25ppm
تردد:	121.4MHz
وصف تفصيلي:	121.4MHz XO (Standard) HCMOS, LVCMOS Oscillator 3.3V Enable/Disable 4-SMD, No Lead
الحالي - توريد (ماكس):	7.5mA
الحالي - توريد (تعطيل) (ماكس):	4mA
الرنان الأساسي:	MEMS
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSIT8009BCT82-33E-121.400000Y

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
SIT8009BCT82-33E-121.500000T	SiTime	OSC MEMS 121.5000MHZ LVCMOS SMD	تحقيق
SIT8009BCU11-28N	SiTime	OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V SMD	تحقيق
SIT8009BCT81-33E	SiTime	OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V EN/DS	تحقيق
SIT8009BCU11-25N	SiTime	OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V SMD	تحقيق
SIT8009BCU11-28E	SiTime	OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V EN/DS	تحقيق
SIT8009BCU11-18S	SiTime	OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V STBY	تحقيق
SIT8009BCT81-30S	SiTime	OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V STBY	تحقيق
SIT8009BCU11-25S	SiTime	OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V STBY	تحقيق
SIT8009BCT81-30N	SiTime	OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V 20PPM	تحقيق
SIT8009BCT81-33N	SiTime	OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V SMD	تحقيق
SIT8009BCU11-18N	SiTime	OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V SMD	تحقيق
SIT8009BCT82-33E-121.400000T	SiTime	OSC MEMS 121.4000MHZ LVCMOS SMD	تحقيق
SIT8009BCT82-33E-121.500000Y	SiTime	OSC MEMS 121.5000MHZ LVCMOS SMD	تحقيق
SIT8009BCU11-18E	SiTime	OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V EN/DS	تحقيق
SIT8009BCT81-30E	SiTime	OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V EN/DS	تحقيق
SIT8009BCT81-XXE	SiTime	OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V EN/DS	تحقيق
SIT8009BCT81-XXS	SiTime	OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V STBY	تحقيق
SIT8009BCU11-25E	SiTime	OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V EN/DS	تحقيق
SIT8009BCT81-XXN	SiTime	OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V SMD	تحقيق
SIT8009BCT81-33S	SiTime	OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V STBY	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار