SIT8008ACF7-18S متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SIT8008ACF7-18S، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SIT8008ACF7-18S عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SIT8008ACF7-18S مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SIT8008ACF7-18S
- رقم القطعة:
- SIT8008ACF7-18S
- الصانع:
- SiTime
- وصف:
- OSC PROG H/LV-CMOS 1.8V STBY SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43048 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.8V |
| اكتب: | XO (Standard) |
| انتشار الطيف الترددي: | - |
| حجم / البعد: | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| سلسلة: | SiT8008 |
| تصنيفات: | - |
| برمجة نوع: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 4-SMD, No Lead |
| الناتج: | HCMOS, LVCMOS |
| درجة حرارة التشغيل: | -20°C ~ 70°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع: | 0.031" (0.79mm) |
| وظيفة: | Standby |
| استقرار التردد (الإجمالي): | - |
| تردد الاستقرار: | ±20ppm |
| وصف تفصيلي: | XO (Standard) HCMOS, LVCMOS 1MHz ~ 110MHz Programmable Oscillator 1.8V Standby 4-SMD, No Lead |
| الحالي - توريد (ماكس): | 3.9mA |
| الحالي - توريد (تعطيل) (ماكس): | 1.3µA |
| الرنان الأساسي: | MEMS |
| available حدود التردد: | 1MHz ~ 110MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIT8008ACF7-18S
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT8008ACF3-33E | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 3.3V EN/DS | تحقيق |
 |
SIT8008ACF7-33S | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 3.3V STBY SMD | تحقيق |
|
SIT8008ACF7-28S | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 2.8V STBY SMD | تحقيق |
|
SIT8008ACF7-XXE | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 2.25-3.63V | تحقيق |
|
SIT8008ACF3-25S | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 2.5V STBY SMD | تحقيق |
|
SIT8008ACF7-30S | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 3V STBY SMD | تحقيق |
|
SIT8008ACF3-XXS | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 2.25-3.63V | تحقيق |
|
SIT8008ACF3-XXE | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 2.25-3.63V | تحقيق |
|
SIT8008ACF3-30E | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 3V EN/DS SMD | تحقيق |
|
SIT8008ACF7-28E | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 2.8V EN/DS | تحقيق |
|
SIT8008ACF3-28S | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 2.8V STBY SMD | تحقيق |
|
SIT8008ACF7-25S | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 2.5V STBY SMD | تحقيق |
|
SIT8008ACF3-33S | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 3.3V STBY SMD | تحقيق |
|
SIT8008ACF3-30S | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 3V STBY SMD | تحقيق |
|
SIT8008ACF7-30E | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 3V EN/DS SMD | تحقيق |
|
SIT8008ACF7-18E | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 1.8V EN/DS | تحقيق |
|
SIT8008ACF7-25E | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 2.5V EN/DS | تحقيق |
|
SIT8008ACF3-28E | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 2.8V EN/DS | تحقيق |
|
SIT8008ACF7-33E | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 3.3V EN/DS | تحقيق |
|
SIT8008ACF7-XXS | SiTime | OSC PROG H/LV-CMOS 2.25-3.63V | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM