SIT3821AI-2D-33EH متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SIT3821AI-2D-33EH، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SIT3821AI-2D-33EH عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SIT3821AI-2D-33EH مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SIT3821AI-2D-33EH
- رقم القطعة:
- SIT3821AI-2D-33EH
- الصانع:
- SiTime
- وصف:
- OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45592 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.SIT3821AI-2D-33EH.pdf2.SIT3821AI-2D-33EH.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3.3V |
| اكتب: | VCXO |
| انتشار الطيف الترددي: | - |
| حجم / البعد: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| سلسلة: | SiT3821 |
| تصنيفات: | - |
| برمجة نوع: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 6-SMD, No Lead |
| الناتج: | LVDS |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع: | 0.039" (1.00mm) |
| وظيفة: | Enable/Disable |
| استقرار التردد (الإجمالي): | - |
| تردد الاستقرار: | ±10ppm |
| وصف تفصيلي: | VCXO LVDS 1MHz ~ 220MHz Programmable Oscillator 3.3V Enable/Disable 6-SMD, No Lead |
| الحالي - توريد (ماكس): | 55mA |
| الحالي - توريد (تعطيل) (ماكس): | 35mA |
| الرنان الأساسي: | MEMS |
| available حدود التردد: | 1MHz ~ 220MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIT3821AI-2D-33EH
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT3821AI-2D-33NM | SiTIME | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-33EY | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-33NG | SiTIME | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-33EM | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-25NZ | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-25NG | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-33NX | SiTIME | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-25NE | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-33EX | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-33EB | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-25NM | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-25NY | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-33EE | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-33EZ | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-25NX | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-25NH | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-33EG | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-33NE | SiTIME | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-33NB | SiTIME | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2D-33NH | SiTIME | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل