SIT3821AI-2C-25NM متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SIT3821AI-2C-25NM، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SIT3821AI-2C-25NM عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SIT3821AI-2C-25NM مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SIT3821AI-2C-25NM
- رقم القطعة:
- SIT3821AI-2C-25NM
- الصانع:
- SiTime
- وصف:
- OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 42522 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.SIT3821AI-2C-25NM.pdf2.SIT3821AI-2C-25NM.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | MEMS VCXO |
| انتشار الطيف الترددي: | - |
| حجم / البعد: | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
| قذيفة ستايل: | 2.5V |
| سلسلة: | SiT3821 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | 6-SMD, No Lead |
| الناتج: | - |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SIT3821AI-2C-25NM |
| ارتفاع: | 0.031" (0.79mm) |
| التسامح تردد: | ±10ppm |
| استقرار التردد (الإجمالي): | 1MHz ~ 220MHz |
| تردد - الناتج 1: | - |
| تردد - مركز: | - |
| وصف موسع: | 1MHz ~ 220MHz LVDS MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 55mA |
| وصف: | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD |
| الحالي - توريد (ماكس): | LVDS |
| الحالي - توريد (تعطيل) (ماكس): | 55mA |
| available حدود التردد: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIT3821AI-2C-25NM
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT3821AI-2C-25EG | SiTime | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-25EH | SiTime | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-25EY | SiTime | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-25NB | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-25EZ | SiTime | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-25NX | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-25NY | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-25EX | SiTime | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-33EH | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-33EY | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-25EM | SiTime | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-25NG | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-33EE | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-25NZ | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-33EM | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-33EG | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-25NH | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-33EB | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-25NE | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3821AI-2C-33EX | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار