SIT3808AI-2-28SH متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SIT3808AI-2-28SH، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SIT3808AI-2-28SH عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SIT3808AI-2-28SH مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SIT3808AI-2-28SH
- رقم القطعة:
- SIT3808AI-2-28SH
- الصانع:
- SiTime
- وصف:
- OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22745 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.SIT3808AI-2-28SH.pdf2.SIT3808AI-2-28SH.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | MEMS VCXO |
| انتشار الطيف الترددي: | - |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| قذيفة ستايل: | 2.8V |
| سلسلة: | SiT3808 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | 4-SMD, No Lead |
| الناتج: | Standby |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SIT3808AI-2-28SH |
| ارتفاع: | 0.031" (0.79mm) |
| التسامح تردد: | ±10ppm |
| استقرار التردد (الإجمالي): | 1MHz ~ 80MHz |
| تردد - الناتج 1: | 70µA |
| تردد - مركز: | - |
| وصف موسع: | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 33mA Standby |
| وصف: | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM |
| الحالي - توريد (ماكس): | LVCMOS, LVTTL |
| الحالي - توريد (تعطيل) (ماكس): | 33mA |
| available حدود التردد: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIT3808AI-2-28SH
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT3808AI-2-28SG | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-28NM | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-28SZ | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-33EG | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-28NG | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-33EX | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-33EM | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-28SY | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-28NH | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-28SE | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-33EH | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-28NE | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-28NX | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-33EB | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-28SB | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-28NY | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-28SX | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-28SM | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-28NZ | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3808AI-2-33EE | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS