SIT3808AC-2-25NE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SIT3808AC-2-25NE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SIT3808AC-2-25NE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SIT3808AC-2-25NE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SIT3808AC-2-25NE
- رقم القطعة:
- SIT3808AC-2-25NE
- الصانع:
- SiTime
- وصف:
- OSC PROG LVCMOS 2.5V 10PPM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24859 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.SIT3808AC-2-25NE.pdf2.SIT3808AC-2-25NE.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | MEMS VCXO |
| انتشار الطيف الترددي: | - |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| قذيفة ستايل: | 2.5V |
| سلسلة: | SiT3808 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | 4-SMD, No Lead |
| الناتج: | - |
| درجة حرارة التشغيل: | -20°C ~ 70°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SIT3808AC-2-25NE |
| ارتفاع: | 0.031" (0.79mm) |
| التسامح تردد: | ±10ppm |
| استقرار التردد (الإجمالي): | 1MHz ~ 80MHz |
| تردد - الناتج 1: | - |
| تردد - مركز: | - |
| وصف موسع: | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 33mA |
| وصف: | OSC PROG LVCMOS 2.5V 10PPM SMD |
| الحالي - توريد (ماكس): | LVCMOS, LVTTL |
| الحالي - توريد (تعطيل) (ماكس): | 33mA |
| available حدود التردد: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIT3808AC-2-25NE
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT3808AC-2-25EE | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25NM | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25NB | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25SE | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V STBY 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25SH | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V STBY 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25SB | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V STBY 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25EH | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-18SZ | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 1.8V STBY 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25NX | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25EG | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25NH | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25EM | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25EZ | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25EX | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25NZ | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25SG | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V STBY 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25EB | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25NY | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25EY | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS 10PPM | تحقيق |
|
SIT3808AC-2-25NG | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.5V 10PPM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS