SICR10650 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SICR10650، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SICR10650 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SICR10650 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SICR10650
- رقم القطعة:
- SICR10650
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 23306 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SICR10650.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.7V @ 10A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 650V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AC |
| سرعة: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 0ns |
| حزمة / كيس: | TO-220-2 |
| اسماء اخرى: | 1655-1953 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Silicon Carbide Schottky |
| وصف تفصيلي: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A Through Hole TO-220AC |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100µA @ 650V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 10A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 695pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSICR10650
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي