SI53302-B-GM متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SI53302-B-GM، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SI53302-B-GM عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SI53302-B-GM مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SI53302-B-GM
- رقم القطعة:
- SI53302-B-GM
- الصانع:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- وصف:
- IC CLK BUFFER 2:10 725MHZ 44QFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49393 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SI53302-B-GM.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.71 V ~ 3.63 V |
| اكتب: | Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer, Translator |
| تجار الأجهزة حزمة: | 44-QFN (7x7) |
| سلسلة: | - |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | 2:10 |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 44-VFQFN Exposed Pad |
| الناتج: | CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL |
| اسماء اخرى: | 336-2392 336-2392-5 336-2392-5-ND SI53302BGM |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2 (1 Year) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال: | CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL |
| تردد - الحد الأقصى: | 725MHz |
| التفاضلية - الإدخال: إخراج: | Yes/Yes |
| وصف تفصيلي: | Clock Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer, Translator IC 2:10 725MHz 44-VFQFN Exposed Pad |
| رقم جزء القاعدة: | SI53302 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI53302-B-GM
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة