SI4554DY-T1-GE3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SI4554DY-T1-GE3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SI4554DY-T1-GE3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SI4554DY-T1-GE3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SI4554DY-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SI4554DY-T1-GE3
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21816 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SI4554DY-T1-GE3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 24 mOhm @ 6.8A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 3.1W, 3.2W |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | SI4554DY-T1-GE3CT |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 690pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 10V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI4554DY-T1-GE3
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل