SI1013R-T1-E3
SI1013R-T1-E3
رقم القطعة:
SI1013R-T1-E3
الصانع:
Electro-Films (EFI) / Vishay
وصف:
MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
36604 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
SI1013R-T1-E3.pdf

المقدمة

SI1013R-T1-E3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SI1013R-T1-E3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SI1013R-T1-E3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SI1013R-T1-E3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:450mV @ 250µA (Min)
فغس (ماكس):±6V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SC-75A
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):150mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SC-75A
اسماء اخرى:SI1013R-T1-E3TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:1.5nC @ 4.5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.8V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف تفصيلي:P-Channel 20V 350mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:350mA (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات