SF10FG-B متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SF10FG-B، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SF10FG-B عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SF10FG-B مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SF10FG-B
- رقم القطعة:
- SF10FG-B
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- DIODE GEN PURP 300V 1A AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55780 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SF10FG-B.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1A |
| الجهد - انهيار: | DO-41 |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | 75pF @ 4V, 1MHz |
| الاستقطاب: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 40ns |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SF10FG-B |
| وصف موسع: | Diode Standard 300V 1A Through Hole DO-41 |
| تكوين الصمام الثنائي: | 10µA @ 300V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 300V 1A AXIAL |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.3V @ 1A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 300V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSF10FG-B
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SF10GG-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
SF10DG-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 | تحقيق |
|
SF10DG-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
SF10DG-A | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 | تحقيق |
|
SF10HG-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 500V 1A DO41 | تحقيق |
|
SF10CG-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL | تحقيق |
|
SF10GG-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 | تحقيق |
|
SF10JG-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 | تحقيق |
|
SF10HG-A | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 500V 1A DO41 | تحقيق |
|
SF10JG-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | تحقيق |
|
SF10GG-A | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 | تحقيق |
|
SF10JG-A | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 | تحقيق |
|
SF10CG-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 150V 1A DO41 | تحقيق |
|
SF10CG-A | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 150V 1A DO41 | تحقيق |
|
SF10BG-A | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 | تحقيق |
|
SF10BG-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | تحقيق |
|
SF10HG-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 500V 1A AXIAL | تحقيق |
|
SF10BG-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 | تحقيق |
|
SF10FG-A | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 300V 1A DO41 | تحقيق |
|
SF10FG-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 300V 1A DO41 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS