SDR1045-4R5M متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SDR1045-4R5M، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SDR1045-4R5M عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SDR1045-4R5M مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SDR1045-4R5M
- رقم القطعة:
- SDR1045-4R5M
- الصانع:
- Bourns, Inc.
- وصف:
- FIXED IND 4.5UH 4.2A 33 MOHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50999 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SDR1045-4R5M.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | SDR1045 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 25 @ 7.96MHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 4.5µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.189" (4.80mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 44.2MHz |
| وصف تفصيلي: | 4.5µH Unshielded Wirewound Inductor 4.2A 33 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 33 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 4.2A |
| الحالي - التشبع: | 5.2A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSDR1045-4R5M
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SDR1105-201KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 200UH 1A 650 MOHM SMD | تحقيق |
 |
SDR1045-681K | Bourns, Inc. | FIXED IND 680UH 430MA 3.3 OHM | تحقيق |
|
SDR1105-150ML | Bourns, Inc. | FIXED IND 15UH 3.5A 52 MOHM SMD | تحقيق |
|
SDR1105-101KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 100UH 1.5A 320 MOHM | تحقيق |
|
SDR1045-151K | Bourns, Inc. | FIXED IND 150UH 850MA 700 MOHM | تحقيق |
|
SDR1045-2R7M | Bourns, Inc. | FIXED IND 2.7UH 4.8A 26 MOHM SMD | تحقيق |
|
SDR1045-102K | Bourns, Inc. | FIXED IND 1MH 380MA 4.7 OHM SMD | تحقيق |
|
SDR1045-470M | Bourns, Inc. | FIXED IND 47UH 1.6A 270 MOHM SMD | تحقيق |
|
SDR1045-330M | Bourns, Inc. | FIXED IND 33UH 1.9A 220 MOHM SMD | تحقيق |
|
SDR1045-150M | Bourns, Inc. | FIXED IND 15UH 2.5A 100 MOHM SMD | تحقيق |
|
SDR1045-331K | Bourns, Inc. | FIXED IND 330UH 620MA 1.7 OHM | تحقيق |
|
SDR1105-151KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 150UH 1.2A 500 MOHM | تحقيق |
|
SDR1045-680M | Bourns, Inc. | FIXED IND 68UH 1.3A 360 MOHM SMD | تحقيق |
|
SDR1105-100ML | Bourns, Inc. | FIXED IND 10UH 4A 45 MOHM SMD | تحقيق |
|
SDR1045-221K | Bourns, Inc. | FIXED IND 220UH 720MA 1.15 OHM | تحقيق |
|
SDR1045-220M | Bourns, Inc. | FIXED IND 22UH 2.2A 145 MOHM SMD | تحقيق |
|
SDR1105-120ML | Bourns, Inc. | FIXED IND 12UH 3.8A 48 MOHM SMD | تحقيق |
|
SDR1105-180ML | Bourns, Inc. | FIXED IND 18UH 3.3A 70 MOHM SMD | تحقيق |
|
SDR1045-6R8M | Bourns, Inc. | FIXED IND 6.8UH 3.5A 40 MOHM SMD | تحقيق |
|
SDR1045-471K | Bourns, Inc. | FIXED IND 470UH 520MA 2.25 OHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل