SDQ12-820-R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SDQ12-820-R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SDQ12-820-R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SDQ12-820-R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SDQ12-820-R
- رقم القطعة:
- SDQ12-820-R
- الصانع:
- Bussmann (Eaton)
- وصف:
- INDUCT ARRAY 2 COIL 82.81UH SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 34835 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SDQ12-820-R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±20% |
| حجم / البعد: | 0.205" L x 0.205" W (5.20mm x 5.20mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | SDQ |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من لفائف: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الحث - في سلسلة متصلة: | 331.2µH |
| الحث - متصلة على التوازي: | 82.81µH |
| ارتفاع: | 0.047" (1.19mm) |
| وصف تفصيلي: | Shielded 2 Coil Inductor Array 331.2µH Inductance - Connected in Series 82.81µH Inductance - Connected in Parallel 2.62 Ohm DC Resistance (DCR) - Parallel 309mA Nonstandard |
| دس المقاومة (دكر) - السلسلة: | 10.49 Ohm |
| دس المقاومة (دكر) - موازية: | 2.62 Ohm |
| التشبع الحالي - السلسلة: | 167mA |
| التشبع الحالي - موازية: | 334mA |
| التقييم الحالي - السلسلة: | 154mA |
| التقييم الحالي - موازية: | 309mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSDQ12-820-R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SDQ25-151-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 150.2UH SMD | تحقيق |
 |
SDQ12-4R7-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 4.41UH SMD | تحقيق |
|
SDQ12-680-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 68.89UH SMD | تحقيق |
|
SDQ12-2R2-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 2.25UH SMD | تحقيق |
|
SDQ12-330-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 32.49UH SMD | تحقيق |
|
SDQ12-1R5-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 1.69UH SMD | تحقيق |
|
SDQ12-R47-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 490NH SMD | تحقيق |
|
SDQ25-102-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 1MH SMD | تحقيق |
|
SDQ25-1R0-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 970NH SMD | تحقيق |
|
SDQ25-220-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 22.47UH SMD | تحقيق |
|
SDQ12-1R0-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 810NH SMD | تحقيق |
|
SDQ25-101-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 98.57UH SMD | تحقيق |
|
SDQ12-470-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 47.61UH SMD | تحقيق |
|
SDQ12-3R3-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 3.61UH SMD | تحقيق |
|
SDQ25-1R5-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 1.35UH SMD | تحقيق |
|
SDQ12-220-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 22.09UH SMD | تحقيق |
|
SDQ25-150-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 14.79UH SMD | تحقيق |
|
SDQ12-8R2-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 8.41UH SMD | تحقيق |
|
SDQ12-6R2-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 6.25UH SMD | تحقيق |
|
SDQ25-100-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 9.8UH SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل