SDH2812-150-R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SDH2812-150-R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SDH2812-150-R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SDH2812-150-R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SDH2812-150-R
- رقم القطعة:
- SDH2812-150-R
- الصانع:
- Bussmann (Eaton)
- وصف:
- FIXED IND 14.7UH 500MA 721 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21551 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SDH2812-150-R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.118" L x 0.110" W (3.00mm x 2.80mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | SDH2812 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 14.7µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.047" (1.20mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 14.7µH Shielded Wirewound Inductor 500mA 721 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 721 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 500mA |
| الحالي - التشبع: | 570mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSDH2812-150-R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SDH2812-6R8-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 6.6UH 730MA 336 MOHM | تحقيق |
|
SDH3812-101-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 100UH 250MA 3.65 OHM | تحقيق |
|
SDH2812-3R3-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 3.2UH 1.08A 154 MOHM | تحقيق |
|
SDH2812-220-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 21.6UH 440MA 922 MOHM | تحقيق |
|
SDH2812-1R0-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1.02UH 1.45A 83 MOHM | تحقيق |
|
SDH2812-4R7-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 4.2UH 900MA 224 MOHM | تحقيق |
|
SDH3812-150-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 15UH 560MA 735 MOHM | تحقيق |
|
SDH2812-8R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 8.17UH 660MA 417 MOHM | تحقيق |
|
SDH2812-100-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 9.67UH 620MA 467 MOHM | تحقيق |
|
SDH2812-101-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 97.7UH 217MA 3.97 OHM | تحقيق |
|
SDH2812-1R5-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1.5UH 1.33A 102 MOHM | تحقيق |
|
SDH2812-680-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 68UH 270MA 2.7 OHM SMD | تحقيق |
|
SDH3812-151-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 150UH 200MA 5.45 OHM | تحقيق |
 |
SDH10KM | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 10KV 1A MODULE | تحقيق |
|
SDH3812-100-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 10UH 690MA 478 MOHM | تحقيق |
|
SDH15K | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 15KV 400MA MODULE | تحقيق |
|
SDH2812-470-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 46.7UH 300MA 1.99 OHM | تحقيق |
|
SDH2812-330-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 33.2UH 350MA 1.43 OHM | تحقيق |
|
SDH2812-820-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 82.2UH 230MA 3.47 OHM | تحقيق |
|
SDH2812-2R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 2.2UH 1.26A 114 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل