العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SCT3080ALGC11
SCT3080ALGC11
SCT3080ALGC11
رقم القطعة:
SCT3080ALGC11
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 650V 30A TO247
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
55220 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
1.SCT3080ALGC11.pdf2.SCT3080ALGC11.pdf
تحقيق

المقدمة

SCT3080ALGC11 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SCT3080ALGC11، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SCT3080ALGC11 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SCT3080ALGC11 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.6V @ 5mA
فغس (ماكس):+22V, -4V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247N
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:104 mOhm @ 10A, 18V
تبديد الطاقة (ماكس):134W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:571pF @ 500V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:48nC @ 18V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):18V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف تفصيلي:N-Channel 650V 30A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247N
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSCT3080ALGC11

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SCT50N120 Image SCT50N120 STMicroelectronics MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 تحقيق
SCT2280KEC Image SCT2280KEC LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 تحقيق
SCT3160KLGC11 Image SCT3160KLGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N تحقيق
SCT3030KLGC11 Image SCT3030KLGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N تحقيق
SCT30N120 Image SCT30N120 STMicroelectronics MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 تحقيق
SCT3030ALGC11 Image SCT3030ALGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 650V 70A TO247N تحقيق
SCT2750NYTB Image SCT2750NYTB LAPIS Semiconductor 1700V .75 OHM 6A SIC FET تحقيق
SCTH2010-1R0 Image SCTH2010-1R0 Bel FIXED IND 1UH 1.14A 105 MOHM SMD تحقيق
SCTH2010-220 Image SCTH2010-220 Bel FIXED IND 22UH 240MA 1.7 OHM SMD تحقيق
SCT3120ALGC11 Image SCT3120ALGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 650V 21A TO247N تحقيق
SCTH2010-100 Image SCTH2010-100 Bel FIXED IND 10UH 380MA 900 MOHM تحقيق
SCT2450KEC Image SCT2450KEC LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247 تحقيق
SCT3060ALGC11 Image SCT3060ALGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 650V 39A TO247N تحقيق
SCTH2010-1R5 Image SCTH2010-1R5 Bel FIXED IND 1.5UH 950MA 145 MOHM تحقيق
SCT2H12NYTB Image SCT2H12NYTB LAPIS Semiconductor 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET تحقيق
SCT3080KLGC11 Image SCT3080KLGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N تحقيق
SCT3022ALGC11 Image SCT3022ALGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 650V 93A TO247N تحقيق
SCTH2010-150 Image SCTH2010-150 Bel FIXED IND 15UH 300MA 1.52 OHM تحقيق
SCT3040KLGC11 Image SCT3040KLGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N تحقيق
SCT2H12NZGC11 Image SCT2H12NZGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 1700V 3.7A تحقيق

Latest الأخبار