SBR10150CTFP متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SBR10150CTFP، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SBR10150CTFP عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SBR10150CTFP مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SBR10150CTFP
- رقم القطعة:
- SBR10150CTFP
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- DIODE ARRAY SBR 150V 5A ITO220AB
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 23455 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SBR10150CTFP.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Super Barrier |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1 Pair Common Cathode |
| الجهد - انهيار: | ITO-220AB |
| سرعة: | 5A |
| سلسلة: | SBR® |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| الاستقطاب: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| اسماء اخرى: | SBR10150CTFP-ND SBR10150CTFPDI |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SBR10150CTFP |
| وصف موسع: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 150V 5A Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| تكوين الصمام الثنائي: | 250µA @ 150V |
| وصف: | DIODE ARRAY SBR 150V 5A ITO220AB |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 920mV @ 5A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 150V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSBR10150CTFP
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل