S6E1A12B0AGP20000 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل S6E1A12B0AGP20000، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل S6E1A12B0AGP20000 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء S6E1A12B0AGP20000 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
S6E1A12B0AGP20000
- رقم القطعة:
- S6E1A12B0AGP20000
- الصانع:
- Cypress Semiconductor
- وصف:
- IC MCU 32BIT 88KB FLASH 32LQFP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25939 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.S6E1A12B0AGP20000.pdf2.S6E1A12B0AGP20000.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 2.7 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 32-LQFP (7x7) |
| سرعة: | 40MHz |
| سلسلة: | FM0+ S6E1A1 |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 6K x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | FLASH |
| برنامج حجم الذاكرة: | 88KB (88K x 8) |
| الأجهزة الطرفية: | DMA, LVD, POR, PWM, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 32-LQFP |
| اسماء اخرى: | 1274-1169 S6E1A12B0AGP20000-ND |
| نوع مذبذب: | Internal |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 23 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 28 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM الحجم: | - |
| وصف تفصيلي: | ARM® Cortex®-M0+ FM0+ S6E1A1 Microcontroller IC 32-Bit 40MHz 88KB (88K x 8) FLASH 32-LQFP (7x7) |
| محولات البيانات: | A/D 5x12b |
| الحجم الأساسية: | 32-Bit |
| النواة: | ARM® Cortex®-M0+ |
| الاتصال: | CSIO, I²C, LINbus, UART/USART |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لS6E1A12B0AGP20000
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC