S3EB-5V متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل S3EB-5V، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل S3EB-5V عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء S3EB-5V مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
S3EB-5V
- رقم القطعة:
- S3EB-5V
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- RELAY GENERAL PURPOSE 4PST 4A 5V
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35335 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- S3EB-5V.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| بدوره على الجهد (ماكس): | 3.5 VDC |
| إيقاف الجهد (الحد الأدنى): | 0.5 VDC |
| إنهاء نمط: | PC Pin |
| تحويل الجهد: | 250VAC, 48VDC - Max |
| سلسلة: | S |
| الافراج عن الوقت: | 10ms |
| نوع التقوية: | General Purpose |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| اسماء اخرى: | 255-1889 S3EB-5V-ND S3EB5V |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 65°C |
| تعمل وقت: | 15ms |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | Sealed - Amber |
| وصف تفصيلي: | General Purpose Relay 4PST-3NO/1NC (3 Form A, 1 Form B) 5VDC Coil Through Hole |
| اتصل التصويت (الحالي): | 4A |
| اتصل المواد: | Silver Alloy, Cadmium Free |
| نموذج الاتصال: | 4PST-3NO/1NC (3 Form A, 1 Form B) |
| لفائف الجهد: | 5VDC |
| لفائف نوع: | Non Latching |
| لفائف المقاومة: | 130 Ohms |
| لفائف السلطة: | 192 mW |
| لفائف الحالي: | 38.5mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لS3EB-5V
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي