S34MS02G104BHB010 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل S34MS02G104BHB010، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل S34MS02G104BHB010 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء S34MS02G104BHB010 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
S34MS02G104BHB010
- رقم القطعة:
- S34MS02G104BHB010
- الصانع:
- Cypress Semiconductor
- وصف:
- IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 57189 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- S34MS02G104BHB010.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 45ns |
| الجهد - توريد: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| تكنولوجيا: | FLASH - NAND |
| تجار الأجهزة حزمة: | 63-BGA (11x9) |
| سلسلة: | MS-1 |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 63-VFBGA |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 2Gb (128M x 16) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | FLASH |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | FLASH - NAND Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 45ns 63-BGA (11x9) |
| وقت الدخول: | 45ns |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لS34MS02G104BHB010
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار