S30620 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل S30620، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل S30620 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء S30620 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
S30620
- رقم القطعة:
- S30620
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- RECTIFIER
- حالة خالية من الرصاص:
- بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 54564 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- S30620.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| سلسلة: | * |
| بنفايات الحالة: | RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | Diode |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لS30620
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
S30660 | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
 |
S30ML01GP50TFI510 | Cypress Semiconductor | IC FLASH MEMORY 48TSOP | تحقيق |
|
S306100 | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
|
S30440 | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
 |
S30760 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 85A DO5 | تحقيق |
|
S30460 | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
|
S30ML01GP30TFI000 | Cypress Semiconductor | IC FLASH MEMORY 48TSOP | تحقيق |
 |
S302M33Z5UN63L6R | Electro-Films (EFI) / Vishay | CAP CER 3000PF 1KV Z5U RADIAL | تحقيق |
|
S30640 | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
|
S304120 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A DO5 | تحقيق |
|
S304100 | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
|
S306120 | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
|
S30ML02GP30TFI000 | Cypress Semiconductor | IC FLASH MEMORY 48TSOP | تحقيق |
|
S30480 | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
|
S30420 | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
|
S30720 | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
 |
S3023A | Crydom | RELAY SSR AC OUT 1CH 3.0A PCB | تحقيق |
|
S309C25C0JR65L7RX1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | CAP CER 3PF 3KV C0J RADIAL | تحقيق |
|
S30740 | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
|
S30680 | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات