S27KS0641DPBHV023 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل S27KS0641DPBHV023، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل S27KS0641DPBHV023 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء S27KS0641DPBHV023 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
S27KS0641DPBHV023
- رقم القطعة:
- S27KS0641DPBHV023
- الصانع:
- Cypress Semiconductor
- وصف:
- IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25088 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- S27KS0641DPBHV023.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | - |
| الجهد - توريد: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| تكنولوجيا: | DRAM |
| تجار الأجهزة حزمة: | 24-BGA (6x8) |
| سلسلة: | HyperRAM™ |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 24-TBGA |
| اسماء اخرى: | 428-3861-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Volatile |
| حجم الذاكرة: | 64Mb (8M x 8) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | DRAM |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 166MHz 40ns 24-BGA (6x8) |
| تردد على مدار الساعة: | 166MHz |
| وقت الدخول: | 40ns |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لS27KS0641DPBHV023
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي