RW3R0DBR050JT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RW3R0DBR050JT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RW3R0DBR050JT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RW3R0DBR050JT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RW3R0DBR050JT
- رقم القطعة:
- RW3R0DBR050JT
- الصانع:
- Ohmite
- وصف:
- RES SMD 0.05 OHM 5% 3W J LEAD
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 47512 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RW3R0DBR050JT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| الجهد - العمل: | 3W |
| الجهد - انهيار: | SMD J-Lead, Recessed |
| سمك (ماكس): | - |
| حجم / البعد: | 0.625" L x 0.273" W (15.88mm x 6.93mm) |
| سلسلة: | RW |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| الاستقطاب: | 6327 J-Lead |
| اسماء اخرى: | RW3R0DBR050JTR RW3R0DBR050JTTR RW3R0DBR050JTTR-ND RW3R0J.050TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | RW3R0DBR050JT |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.231" (5.87mm) |
| الميزات: | Current Sense |
| في FIFO: | 2 |
| وصف موسع: | 0.05 Ohm ±5% 3W Chip Resistor 6327 J-Lead Current Sense Wirewound |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±5% |
| وصف: | RES SMD 0.05 OHM 5% 3W J LEAD |
| طلاء، نوع السكن: | Wirewound |
| عرض النطاق الترددي: | 0.05 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRW3R0DBR050JT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RW3R5EA1R00J | Ohmite | RES SMD 1 OHM 5% 3.5W J LEAD | تحقيق |
 |
RW3R0DBR100JET | Ohmite | RES 0.1 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR500JT | Ohmite | RES 0.5 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR025J | Ohmite | RES 0.025 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R5EA1R00JE | Ohmite | RES SMD 1 OHM 5% 3.5W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR075JT | Ohmite | RES 0.075 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR036JE | Ohmite | RES 0.036 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR100J | Ohmite | RES 0.1 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR100JE | Ohmite | RES 0.1 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR015JT | Ohmite | RES 0.015 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR050JET | Ohmite | RES 0.05 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR036JET | Ohmite | RES 0.036 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR050J | Ohmite | RES 0.05 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR075J | Ohmite | RES 0.075 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR050JE | Ohmite | RES 0.05 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR025JT | Ohmite | RES 0.025 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR500J | Ohmite | RES 0.5 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR100JT | Ohmite | RES 0.1 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR036J | Ohmite | RES 0.036 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR036JT | Ohmite | RES 0.036 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة