RW3R0DB68R0JE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RW3R0DB68R0JE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RW3R0DB68R0JE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RW3R0DB68R0JE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RW3R0DB68R0JE
- رقم القطعة:
- RW3R0DB68R0JE
- الصانع:
- Ohmite
- وصف:
- RES SMD 68 OHM 5% 3W J LEAD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49880 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RW3R0DB68R0JE.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±5% |
| معامل درجة الحرارة: | ±20ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | SMD J-Lead, Recessed |
| حجم / البعد: | 0.625" L x 0.273" W (15.88mm x 6.93mm) |
| سلسلة: | RW |
| وضع لوحة: | 68 Ohms |
| السلطة (واتس): | 3W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 6327 J-Lead |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C |
| عدد الإنهاء: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.231" (5.87mm) |
| الميزات: | Current Sense |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 68 Ohms ±5% 3W Chip Resistor 6327 J-Lead Current Sense Wirewound |
| تركيب: | Wirewound |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRW3R0DB68R0JE
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RW3R0DB5R00J | Ohmite | RES SMD 5 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR010JT | Ohmite | RES 0.01 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DB5R00JT | Ohmite | RES SMD 5 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR010J | Ohmite | RES 0.01 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR005JT | Ohmite | RES SMD 0.005 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DB68R0J | Ohmite | RES SMD 68 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DB47R0JET | Ohmite | RES SMD 47 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DB5R00JET | Ohmite | RES SMD 5 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DB47R0JE | Ohmite | RES SMD 47 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR010JET | Ohmite | RES 0.01 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DB47R0JT | Ohmite | RES SMD 47 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DB68R0JET | Ohmite | RES SMD 68 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR005J | Ohmite | RES 0.005 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR005JET | Ohmite | RES 0.005 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR010JE | Ohmite | RES 0.01 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DB5R00JE | Ohmite | RES SMD 5 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DBR005JE | Ohmite | RES 0.005 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DB24R0JT | Ohmite | RES SMD 24 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DB47R0J | Ohmite | RES SMD 47 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
|
RW3R0DB68R0JT | Ohmite | RES SMD 68 OHM 5% 3W J LEAD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل