RW1S0BAR150JT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RW1S0BAR150JT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RW1S0BAR150JT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RW1S0BAR150JT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RW1S0BAR150JT
- رقم القطعة:
- RW1S0BAR150JT
- الصانع:
- Ohmite
- وصف:
- RES 0.15 OHM 5% 1W J LEAD
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 28054 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RW1S0BAR150JT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±5% |
| معامل درجة الحرارة: | ±90ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | SMD J-Lead, Pedestal |
| حجم / البعد: | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
| سلسلة: | RW |
| وضع لوحة: | 150 mOhms |
| السلطة (واتس): | 1W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2512 J-Lead |
| اسماء اخرى: | RW1S0BAR150JTR RW1S0BAR150JTTR RW1S0BAR150JTTR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C |
| عدد الإنهاء: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.141" (3.58mm) |
| الميزات: | Current Sense |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 150 mOhms ±5% 1W Chip Resistor 2512 J-Lead Current Sense Wirewound |
| تركيب: | Wirewound |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRW1S0BAR150JT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RW1S0BAR100FE | Ohmite | RES 0.1 OHM 1% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR240JET | Ohmite | RES 0.24 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR150JET | Ohmite | RES 0.15 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR200J | Ohmite | RES 0.2 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR240JE | Ohmite | RES 0.24 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR100JE | Ohmite | RES 0.1 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR200JET | Ohmite | RES 0.2 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR200JE | Ohmite | RES 0.2 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR150J | Ohmite | RES 0.15 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR100FET | Ohmite | RES 0.1 OHM 1% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR100JT | Ohmite | RES 0.1 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR300J | Ohmite | RES 0.3 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR100JET | Ohmite | RES 0.1 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR300JE | Ohmite | RES 0.3 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR150JE | Ohmite | RES 0.15 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR100FT | Ohmite | RES 0.1 OHM 1% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR200JT | Ohmite | RES 0.2 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR240J | Ohmite | RES 0.24 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR100J | Ohmite | RES 0.1 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR240JT | Ohmite | RES 0.24 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل