RW1S0BAR010F متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RW1S0BAR010F، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RW1S0BAR010F عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RW1S0BAR010F مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RW1S0BAR010F
- رقم القطعة:
- RW1S0BAR010F
- الصانع:
- Ohmite
- وصف:
- RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 47586 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RW1S0BAR010F.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±1% |
| معامل درجة الحرارة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | SMD J-Lead, Pedestal |
| حجم / البعد: | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
| سلسلة: | RW |
| وضع لوحة: | 10 mOhms |
| السلطة (واتس): | 1W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 2512 J-Lead |
| اسماء اخرى: | RW1S0BAR010FBK RW1S0F.010BK |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C |
| عدد الإنهاء: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.141" (3.58mm) |
| الميزات: | Current Sense |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 10 mOhms ±1% 1W Chip Resistor 2512 J-Lead Current Sense Wirewound |
| تركيب: | Wirewound |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRW1S0BAR010F
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RW1E014SNT2R | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 | تحقيق |
 |
RW1S0BAR010FET | Ohmite | RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BA1R00J | Ohmite | RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BA1R00JET | Ohmite | RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR005JET | Ohmite | RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR015F | Ohmite | RES 0.015 OHM 1% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1E025RPT2CR | LAPIS Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6 | تحقيق |
|
RW1S0BA1R00JT | Ohmite | RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR015FET | Ohmite | RES 0.015 OHM 1% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR010JET | Ohmite | RES 0.01 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR015FE | Ohmite | RES 0.015 OHM 1% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR005JE | Ohmite | RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR010FE | Ohmite | RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR010J | Ohmite | RES 0.01 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR005J | Ohmite | RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1E015RPT2R | LAPIS Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6 | تحقيق |
|
RW1S0BA1R00JE | Ohmite | RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR010FT | Ohmite | RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR010JT | Ohmite | RES 0.01 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
|
RW1S0BAR010JE | Ohmite | RES 0.01 OHM 5% 1W J LEAD | تحقيق |
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC