RV2-50V3R3MU-R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RV2-50V3R3MU-R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RV2-50V3R3MU-R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RV2-50V3R3MU-R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RV2-50V3R3MU-R
- رقم القطعة:
- RV2-50V3R3MU-R
- الصانع:
- Elna America
- وصف:
- CAP 3.3UF 50V
- كمية المخزون:
- 52265 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RV2-50V3R3MU-R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 50V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | 0.169" L x 0.169" W (4.30mm x 4.30mm) |
| حجم / البعد: | 0.157" Dia (4.00mm) |
| سلسلة: | RV2 |
| تموج الحالي @ منخفض التردد: | 19mA @ 120Hz |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 28.5mA @ 100kHz |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Polar |
| حزمة / كيس: | Radial, Can - SMD |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 2000 Hrs @ 85°C |
| تباعد الرصاص: | - |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.217" (5.50mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 50 Ohm @ 120Hz |
| وصف تفصيلي: | 3.3µF 50V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - SMD 50 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C |
| مواسعة: | 3.3µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRV2-50V3R3MU-R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RV2512JK-0715ML | Yageo | RES SMD 15M OHM 5% 1W 2512 | تحقيق |
 |
RV2C001ZPT2L | LAPIS Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006 | تحقيق |
|
RV2512JK-076M8L | Yageo | RES SMD 6.8M OHM 5% 1W 2512 | تحقيق |
 |
RV2H-2G-D12-C1D2 | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 12V | تحقيق |
 |
RV2010FK-07390KL | Yageo | RES SMD 390K OHM 1% 3/4W 2010 | تحقيق |
|
RV2010JK-071ML | Yageo | RES SMD 1M OHM 5% 3/4W 2010 | تحقيق |
 |
RV2-16V101MSU-R | Elna America | CAP 100UF 16V | تحقيق |
|
RV2010JK-0710ML | Yageo | RES SMD 10M OHM 5% 3/4W 2010 | تحقيق |
|
RV2512JK-074M7L | Yageo | RES SMD 4.7M OHM 5% 1W 2512 | تحقيق |
|
RV2010FK-071M2L | Yageo | RES SMD 1.2M OHM 1% 3/4W 2010 | تحقيق |
|
RV2010FK-07402KL | Yageo | RES SMD 402K OHM 1% 3/4W 2010 | تحقيق |
|
RV2010FK-071ML | Yageo | RES SMD 1M OHM 1% 3/4W 2010 | تحقيق |
|
RV2H-2G-D110-C1D2 | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 110V | تحقيق |
|
RV2010JK-073ML | Yageo | RES SMD 3M OHM 5% 3/4W 2010 | تحقيق |
|
RV2C002UNT2L | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006 | تحقيق |
|
RV2H-2G-D18-C1D2 | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 18V | تحقيق |
|
RV2512JK-075M6L | Yageo | RES SMD 5.6M OHM 5% 1W 2512 | تحقيق |
|
RV2C010UNT2L | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1A VML1006 | تحقيق |
 |
RV2C014BCT2CL | LAPIS Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006 | تحقيق |
|
RV2512JK-0710ML | Yageo | RES SMD 10M OHM 5% 1W 2512 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل