RU2012FR047CS متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RU2012FR047CS، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RU2012FR047CS عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RU2012FR047CS مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RU2012FR047CS
- رقم القطعة:
- RU2012FR047CS
- وصف:
- RES 0.047 OHM 1% 1/3W 0805
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49782 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.RU2012FR047CS.pdf2.RU2012FR047CS.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±150ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | 0805 |
| حجم / البعد: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| سلسلة: | RU |
| وضع لوحة: | 47 mOhms |
| السلطة (واتس): | 0.333W, 1/3W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 0805 (2012 Metric) |
| اسماء اخرى: | 1276-6158-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 155°C |
| عدد الإنهاء: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.026" (0.65mm) |
| الميزات: | Current Sense, Moisture Resistant |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 47 mOhms ±1% 0.333W, 1/3W Chip Resistor 0805 (2012 Metric) Current Sense, Moisture Resistant Thick Film |
| تركيب: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRU2012FR047CS
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي