RT114012 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RT114012، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RT114012 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RT114012 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RT114012
- رقم القطعة:
- RT114012
- وصف:
- RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 12V
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48413 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.RT114012.pdf2.RT114012.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| بدوره على الجهد (ماكس): | 8.4 VDC |
| إيقاف الجهد (الحد الأدنى): | 1.2 VDC |
| إنهاء نمط: | PC Pin |
| تحويل الجهد: | 400VAC - Max |
| سلسلة: | RT1, SCHRACK |
| الافراج عن الوقت: | 6ms |
| نوع التقوية: | General Purpose |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| اسماء اخرى: | 1419108-1 PB2140 RT114012-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تعمل وقت: | 8ms |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | Not Applicable |
| الصانع المهلة القياسية: | 33 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | Insulation - Class F, Sealed - Flux Protection |
| وصف تفصيلي: | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 12VDC Coil Through Hole |
| اتصل التصويت (الحالي): | 12A |
| اتصل المواد: | Silver Nickel (AgNi) |
| نموذج الاتصال: | SPDT (1 Form C) |
| لفائف الجهد: | 12VDC |
| لفائف نوع: | Non Latching |
| لفائف المقاومة: | 360 Ohms |
| لفائف السلطة: | 400 mW |
| لفائف الحالي: | 33.3mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRT114012
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار