RS61A151MCN1JT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RS61A151MCN1JT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RS61A151MCN1JT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RS61A151MCN1JT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RS61A151MCN1JT
- رقم القطعة:
- RS61A151MCN1JT
- الصانع:
- Nichicon
- وصف:
- CAP ALUM POLY 150UF 20% 10V T/H
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 52607 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.RS61A151MCN1JT.pdf2.RS61A151MCN1JT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 10V |
| اكتب: | Polymer |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.248" Dia (6.30mm) |
| سلسلة: | FPCAP, RS6 |
| تموج الحالي @ منخفض التردد: | 250mA @ 120Hz |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 2.5A @ 100kHz |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | Radial, Can |
| اسماء اخرى: | 493-6659-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| تباعد الرصاص: | 0.098" (2.50mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.236" (6.00mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 25 mOhm |
| وصف تفصيلي: | 150µF 10V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can 25 mOhm 2000 Hrs @ 105°C |
| مواسعة: | 150µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRS61A151MCN1JT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RS61E560MCN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 56UF 20% 25V T/H | تحقيق |
 |
RS612-2-02 | Schaffner EMC, Inc. | COMMON MODE CHOKE 13UH 2A 2LN TH | تحقيق |
|
RS612-4-02 | Schaffner EMC, Inc. | COMMON MODE CHOKE 3UH 4A 2LN TH | تحقيق |
|
RS614-4-02 | Schaffner EMC, Inc. | COMMON MODE CHOKE 8UH 4A 2LN TH | تحقيق |
|
RS612-1-02 | Schaffner EMC, Inc. | COMMON MODE CHOKE 55UH 1A 2LN TH | تحقيق |
|
RS614-0.5-02 | Schaffner EMC, Inc. | CMC 480UH 500MA 2LN TH | تحقيق |
|
RS622-0.5-02 | Schaffner EMC, Inc. | CMC 900UH 500MA 2LN TH | تحقيق |
 |
RS61E330MCN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 33UF 20% 25V T/H | تحقيق |
|
RS61C101MCS1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V T/H | تحقيق |
 |
RS60E561MCN1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V T/H | تحقيق |
 |
RS614-1-02 | Schaffner EMC, Inc. | CMC 120UH 1A 2LN TH | تحقيق |
|
RS614-2-02 | Schaffner EMC, Inc. | COMMON MODE CHOKE 30UH 2A 2LN TH | تحقيق |
|
RS61E330MCN1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 33UF 20% 25V T/H | تحقيق |
|
RS61E560MCN1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 56UF 20% 25V T/H | تحقيق |
|
RS612-0.5-02 | Schaffner EMC, Inc. | CMC 200UH 500MA 2LN TH | تحقيق |
|
RS61A151MCN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 150UF 20% 10V T/H | تحقيق |
 |
RS61C101MDS1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V T/H | تحقيق |
|
RS61C101MDS1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V T/H | تحقيق |
|
RS622-1-02 | Schaffner EMC, Inc. | CMC 225UH 1A 2LN TH | تحقيق |
|
RS61C101MCS1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V T/H | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل