RR50G122MDN1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RR50G122MDN1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RR50G122MDN1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RR50G122MDN1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RR50G122MDN1
- رقم القطعة:
- RR50G122MDN1
- الصانع:
- Nichicon
- وصف:
- CAP ALUM POLY 1200UF 20% 4V T/H
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24225 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.RR50G122MDN1.pdf2.RR50G122MDN1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 4V |
| اكتب: | Polymer |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.394" Dia (10.00mm) |
| سلسلة: | FPCAP, RR5 |
| تموج الحالي @ منخفض التردد: | 722mA @ 120Hz |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 7.22A @ 100kHz |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial, Can |
| اسماء اخرى: | 493-3694 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| تباعد الرصاص: | 0.197" (5.00mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.492" (12.50mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 5 mOhm |
| وصف تفصيلي: | 1200µF 4V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can 5 mOhm 2000 Hrs @ 105°C |
| مواسعة: | 1200µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRR50G122MDN1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RR50E821MDN1KX | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 2.5V T/H | تحقيق |
|
RR50J391MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 390UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
RR50E561MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V T/H | تحقيق |
|
RR50J391MDN1LX | Nichicon | CAP ALUM POLY 390UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
RR50E561MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V T/H | تحقيق |
 |
RR50J391MDN1KX | Nichicon | CAP ALUM POLY 390UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
RR50E681MDN1KX | Nichicon | CAP ALUM POLY 680UF 20% 2.5V T/H | تحقيق |
 |
RR50G821MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
RR50E561MDN1KX | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V T/H | تحقيق |
|
RR50G561MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
RR50E821MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 2.5V T/H | تحقيق |
|
RR50E821MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 2.5V T/H | تحقيق |
|
RR50G561MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
RR50G122MDN1PH | Nichicon | CAP ALUM POLY 1200UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
RR50J391MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 390UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
RR50E681MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 680UF 20% 2.5V T/H | تحقيق |
|
RR50G561MDN1KX | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
RR50E152MDN1PH | Nichicon | CAP ALUM POLY 1500UF 2.5V TH | تحقيق |
|
RR50E681MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 680UF 20% 2.5V T/H | تحقيق |
|
RR50G821MDN1PH | Nichicon | CAP ALUM POLY 82UF 20% 4V T/H | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار