RP420060 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RP420060، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RP420060 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RP420060 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RP420060
- رقم القطعة:
- RP420060
- وصف:
- RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 60V
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 44733 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RP420060.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| بدوره على الجهد (ماكس): | 42 VDC |
| إيقاف الجهد (الحد الأدنى): | 6 VDC |
| إنهاء نمط: | PC Pin |
| تحويل الجهد: | 400VAC - Max |
| سلسلة: | RP II/2, SCHRACK |
| الافراج عن الوقت: | 3ms |
| نوع التقوية: | General Purpose |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| اسماء اخرى: | 5-1393234-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 70°C |
| تعمل وقت: | 9ms |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS Compliant |
| الميزات: | Sealed - Flux Protection |
| وصف تفصيلي: | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 60VDC Coil Through Hole |
| اتصل التصويت (الحالي): | 8A |
| اتصل المواد: | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| نموذج الاتصال: | DPDT (2 Form C) |
| لفائف الجهد: | 60VDC |
| لفائف نوع: | Non Latching |
| لفائف المقاومة: | 6.54 kOhms |
| لفائف السلطة: | 500 mW |
| لفائف الحالي: | 9.2mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRP420060
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC