RNS0J151MDN1KX متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RNS0J151MDN1KX، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RNS0J151MDN1KX عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RNS0J151MDN1KX مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RNS0J151MDN1KX
- رقم القطعة:
- RNS0J151MDN1KX
- الصانع:
- Nichicon
- وصف:
- CAP ALUM POLY 150UF 20% 6.3V T/H
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49902 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.RNS0J151MDN1KX.pdf2.RNS0J151MDN1KX.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 6.3V |
| اكتب: | Polymer |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.315" Dia (8.00mm) |
| سلسلة: | FPCAP, RNS |
| تموج الحالي @ منخفض التردد: | 390mA @ 120Hz |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 3.9A @ 100kHz |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | Radial, Can |
| اسماء اخرى: | 493-14219-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| تباعد الرصاص: | 0.138" (3.50mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.512" (13.00mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 21 mOhm |
| وصف تفصيلي: | 150µF 6.3V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can 21 mOhm 2000 Hrs @ 105°C |
| مواسعة: | 150µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRNS0J151MDN1KX
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RNS0J221MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 220UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
RNS0J151MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 150UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
RNS0J391MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 390UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
 |
RNS0G122MDN1PH | Nichicon | CAP ALUM POLY 1200UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
RNS0J331MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
RNS0J221MDN1KX | Nichicon | CAP ALUM POLY 220UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
RNS0J102MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 1000UF 6.3V T/H | تحقيق |
|
RNS0J470MDS1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 47UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
RNS0J391MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 390UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
RNS0J331MDN1PH | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
RNS0G561MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
RNS0G821MDN1PH | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
RNS0J102MDN1PH | Nichicon | CAP ALUM POLY 1000UF 6.3V T/H | تحقيق |
|
RNS0J221MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 220UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
RNS0G561MDN1KX | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
RNS0G122MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 1200UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
RNS0J151MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 150UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
RNS0G821MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
RNS0G561MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
RNS0J391MDN1KX | Nichicon | CAP ALUM POLY 390UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل