RNA4A8E151JT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RNA4A8E151JT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RNA4A8E151JT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RNA4A8E151JT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RNA4A8E151JT
- رقم القطعة:
- RNA4A8E151JT
- الصانع:
- AVX Corporation
- وصف:
- RES ARRAY 8 RES 150 OHM 1608
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 33338 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RNA4A8E151JT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±5% |
| معامل درجة الحرارة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1608 |
| حجم / البعد: | 0.157" L x 0.083" W (4.00mm x 2.10mm) |
| سلسلة: | RNA4A, Kyocera |
| المقاوم نسبة-الانجراف: | - |
| نسبة مطابقة المقاوم: | - |
| المقاومة (أوم): | 150 |
| قوة لكل عنصر: | 62.5mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 1608, Concave, Long Side Terminals |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد من المقاومات: | 8 |
| عدد من الدبابيس: | 10 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.028" (0.70mm) |
| وصف تفصيلي: | 150 Ohm ±5% 62.5mW Power Per Element Bussed 8 Resistor Network/Array 1608, Concave, Long Side Terminals |
| الدائرة نوع: | Bussed |
| التطبيقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRNA4A8E151JT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RNA4A8E130JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 13 OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E102JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 1K OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E202JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 2K OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E100JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 10 OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E203JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 20K OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E154JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 150K OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E104JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 100K OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E220JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 22 OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E223JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 22K OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E122JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 1.2K OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E163JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 16K OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E222JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 2.2K OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E181JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 180 OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E153JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 15K OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E183JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 18K OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E101JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 100 OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E103JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 10K OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E221JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 220 OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E121JT | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 120 OHM 1608 | تحقيق |
|
RNA4A8E103JB | AVX Corporation | RES ARRAY 8 RES 10K OHM 1608 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل