RN779FT106 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RN779FT106، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RN779FT106 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RN779FT106 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RN779FT106
- رقم القطعة:
- RN779FT106
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- DIODE PIN HF SW 50V 50MA UMD3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 39341 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.RN779FT106.pdf2.RN779FT106.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 50V |
| تجار الأجهزة حزمة: | UMD3 |
| سلسلة: | - |
| المقاومة @ إذا، F: | 7 Ohm @ 10mA, 100MHz |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | SC-70, SOT-323 |
| اسماء اخرى: | RN779FT106CT |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | PIN - 1 Pair Series Connection |
| وصف تفصيلي: | RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 50V 50mA UMD3 |
| الحالي - الحد الأقصى: | 50mA |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 0.9pF @ 35V, 1MHz |
| رقم جزء القاعدة: | RN779 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRN779FT106
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي