RN2117(T5L,F,T)
RN2117(T5L,F,T)
رقم القطعة:
RN2117(T5L,F,T)
الصانع:
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
58137 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
RN2117(T5L,F,T).pdf

المقدمة

RN2117(T5L,F,T) متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RN2117(T5L,F,T)، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RN2117(T5L,F,T) عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RN2117(T5L,F,T) مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:PNP - Pre-Biased
تجار الأجهزة حزمة:SSM
سلسلة:-
المقاوم - قاعدة باعث (R2):4.7 kOhms
المقاوم - قاعدة (R1):10 kOhms
السلطة - ماكس:100mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SC-75, SOT-416
اسماء اخرى:RN2117(T5LFT)TR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
تردد - تحول:200MHz
وصف تفصيلي:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:30 @ 10mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

Latest الأخبار