RN152-2-02-18M متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RN152-2-02-18M، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RN152-2-02-18M عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RN152-2-02-18M مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RN152-2-02-18M
- رقم القطعة:
- RN152-2-02-18M
- الصانع:
- Schaffner EMC, Inc.
- وصف:
- CMC 18MH 2A 2LN TH
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56264 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RN152-2-02-18M.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - العاصمة: | - |
| تقييم الجهد - AC: | 300V |
| حجم / البعد: | 1.693" L x 1.646" W (43.00mm x 41.80mm) |
| سلسلة: | RN |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | Horizontal, 4 PC Pin |
| اسماء اخرى: | 816533 817-2146 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 100°C |
| عدد من خطوط: | 2 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الحث @ تردد: | 18mH @ 10kHz |
| ارتفاع (ماكس): | 0.996" (25.30mm) |
| نوع فلتر: | Power Line |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 18mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2A DCR 350 mOhm (Typ) |
| دس المقاومة (دكر) (ماكس): | 350 mOhm (Typ) |
| بطاقة سمك (مم): | 2A |
| الموافقات: | ENEC, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRN152-2-02-18M
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار