RM1A23D100 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RM1A23D100، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RM1A23D100 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RM1A23D100 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RM1A23D100
- رقم القطعة:
- RM1A23D100
- الصانع:
- Carlo Gavazzi
- وصف:
- SSR ZS 230V 100A 4.5-32VDC LED
- كمية المخزون:
- 32561 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RM1A23D100.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| سلسلة: | * |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | Not Applicable |
| وصف تفصيلي: | Solid State |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRM1A23D100
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RM1A48D25 | Carlo Gavazzi | SSR RELAY SPST-NO 25A 42-530V | تحقيق |
|
RM1A48D100 | Carlo Gavazzi | SSR RELAY SPST-NO 100A 42-530V | تحقيق |
 |
RM1200E-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 1.2KV 500MA SMAE | تحقيق |
 |
RM102PJ913CS | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | RESISTOR ARRAY INVERTED CONVEX | تحقيق |
|
RM1A23A75 | Carlo Gavazzi | SSR RELAY SPST-NO 75A 24-265V | تحقيق |
|
RM1A48A50 | Carlo Gavazzi | SSR RELAY SPST-NO 50A 42-530V | تحقيق |
|
RM1A23D75 | Carlo Gavazzi | SSR RELAY SPST-NO 75A 24-265V | تحقيق |
|
RM1A48D50 | Carlo Gavazzi | SSR RELAY SPST-NO 50A 42-530V | تحقيق |
|
RM1A48A75 | Carlo Gavazzi | SSR RELAY SPST-NO 75A 42-530V | تحقيق |
|
RM1A48D75 | Carlo Gavazzi | SSR RELAY SPST-NO 75A 42-530V | تحقيق |
|
RM1A23D50 | Carlo Gavazzi | SSR RELAY SPST-NO 50A 24-265V | تحقيق |
|
RM1A23D25 | Carlo Gavazzi | SSR RELAY SPST-NO 25A 24-265V | تحقيق |
|
RM1800E-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 1.8KV 500MA SAME | تحقيق |
|
RM1A23A25 | Carlo Gavazzi | SSR RELAY SPST-NO 25A 24-265V | تحقيق |
 |
RM160MM-30TR | LAPIS Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2PMDU | تحقيق |
|
RM1A48A25 | Carlo Gavazzi | SSR RELAY SPST-NO 25A 42-530V | تحقيق |
|
RM102PJ9R1CS | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | RESISTOR ARRAY INVERTED CONVEX | تحقيق |
|
RM102PJ914CS | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | RESISTOR ARRAY INVERTED CONVEX | تحقيق |
|
RM1500E-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 1.5KV 500MA SAME | تحقيق |
|
RM1A23A50 | Carlo Gavazzi | SSR RELAY SPST-NO 50A 24-265V | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل