RLB1014-101KL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RLB1014-101KL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RLB1014-101KL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RLB1014-101KL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RLB1014-101KL
- رقم القطعة:
- RLB1014-101KL
- الصانع:
- Bourns, Inc.
- وصف:
- FIXED IND 100UH 350MA 850 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38242 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RLB1014-101KL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±10% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.343" Dia (8.70mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | RLB |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 45 @ 796kHz |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 796kHz |
| الحث: | 100µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.512" (13.00mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 3.2MHz |
| وصف تفصيلي: | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 780mA 850 mOhm Max Radial |
| DC المقاومة (DCR): | 850 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 780mA |
| الحالي - التشبع: | 2A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRLB1014-101KL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RLB1014-104KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 100MH 300 OHM TH | تحقيق |
|
RLB1014-102KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 1MH 160MA 4.1 OHM TH | تحقيق |
|
RLB1014-222KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 2.2MH 110MA 8.4 OHM TH | تحقيق |
 |
RLB1014-152KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 1.5MH 300MA 5.8 OHM TH | تحقيق |
 |
RLB0914-680KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 68UH 1.2A 210 MOHM TH | تحقيق |
|
RLB0914-561KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 560UH 450MA 1.4 OHM TH | تحقيق |
|
RLB1014-103KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 10MH 45MA 32 OHM TH | تحقيق |
|
RLB0914-4R7ML | Bourns, Inc. | FIXED IND 4.7UH 3.2A 33 MOHM TH | تحقيق |
|
RLB0914-471KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 470UH 500MA 1.3 OHM TH | تحقيق |
 |
RLB0914-681KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 680UH 400MA 1.6 OHM TH | تحقيق |
|
RLB0914-6R8ML | Bourns, Inc. | FIXED IND 6.8UH 3A 39 MOHM TH | تحقيق |
|
RLB1014-151KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 150UH 310MA 1.05 OHM | تحقيق |
|
RLB0914-470KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 47UH 1.5A 140 MOHM TH | تحقيق |
|
RLB0914-820KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 82UH 1.1A 230 MOHM TH | تحقيق |
|
RLB0914-560KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 56UH 1.3A 200 MOHM TH | تحقيق |
|
RLB0914-821KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 820UH 350MA 1.8 OHM TH | تحقيق |
|
RLB1014-223KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 22MH 28MA 58 OHM TH | تحقيق |
|
RLB1014-221KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 220UH 280MA 1.3 OHM TH | تحقيق |
|
RLB1014-123KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 12MH 40MA 36 OHM TH | تحقيق |
|
RLB1014-122KL | Bourns, Inc. | FIXED IND 1.2MH 150MA 4.7 OHM TH | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل