RJH60F4DPQ-A0#T0 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RJH60F4DPQ-A0#T0، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RJH60F4DPQ-A0#T0 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RJH60F4DPQ-A0#T0 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RJH60F4DPQ-A0#T0
- رقم القطعة:
- RJH60F4DPQ-A0#T0
- الصانع:
- Renesas Electronics America
- وصف:
- IGBT 600V 60A 235.8W TO247A
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 20099 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RJH60F4DPQ-A0#T0.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.82V @ 15V, 30A |
| اختبار حالة: | 400V, 30A, 5 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 45ns/85ns |
| تحويل الطاقة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247A |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 90ns |
| السلطة - ماكس: | 235.8W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench |
| وصف تفصيلي: | IGBT Trench 600V 60A 235.8W Through Hole TO-247A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 60A |
| رقم جزء القاعدة: | RJH60F |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRJH60F4DPQ-A0#T0
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU