RJH60D1DPP-E0#T2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RJH60D1DPP-E0#T2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RJH60D1DPP-E0#T2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RJH60D1DPP-E0#T2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RJH60D1DPP-E0#T2
- رقم القطعة:
- RJH60D1DPP-E0#T2
- الصانع:
- Renesas Electronics America
- وصف:
- IGBT 600V 10A
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43242 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RJH60D1DPP-E0#T2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 10A |
| اختبار حالة: | 300V, 10A, 5 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 30ns/42ns |
| تحويل الطاقة: | 100µJ (on), 130µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220FP |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 70ns |
| السلطة - ماكس: | 30W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench |
| بوابة المسؤول: | 13nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT Trench 600V 20A 30W Through Hole TO-220FP |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 20A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRJH60D1DPP-E0#T2
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي