العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > RJ1U330AAFRGTL
RJ1U330AAFRGTL
RJ1U330AAFRGTL
رقم القطعة:
RJ1U330AAFRGTL
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
NCH 250V/33A POWER MOSFET
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
20945 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
1.RJ1U330AAFRGTL.pdf2.RJ1U330AAFRGTL.pdf
تحقيق

المقدمة

RJ1U330AAFRGTL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RJ1U330AAFRGTL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RJ1U330AAFRGTL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RJ1U330AAFRGTL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 1mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:LPTS
سلسلة:Automotive, AEC-Q101
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:105 mOhm @ 16.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):211W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SC-83
اسماء اخرى:RJ1U330AAFRGTLTR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4500pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:80nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):250V
وصف تفصيلي:N-Channel 250V 33A (Ta) 211W (Tc) Surface Mount LPTS
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:33A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لRJ1U330AAFRGTL

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
RJ1220FR020CS Samsung Electro-Mechanics America, Inc. RES 0.02 OHM 1% 1W 0805 WIDE تحقيق
RJ1S-C-A120 Image RJ1S-C-A120 IDEC RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 120V تحقيق
RJ1632FR020CS Samsung Electro-Mechanics America, Inc. RES 0.02 OHM 1% 1W 1206 WIDE تحقيق
RJ1S-CL-D12 Image RJ1S-CL-D12 IDEC RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 12V تحقيق
RJ1S-C-D24 Image RJ1S-C-D24 IDEC RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 24V تحقيق
RJ1V-AH-D24 Image RJ1V-AH-D24 IDEC RELAY GEN PURPOSE SPST 16A 24V تحقيق
RJ1S-CL-A240 Image RJ1S-CL-A240 IDEC RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 240V تحقيق
RJ1S-CL-A24 Image RJ1S-CL-A24 IDEC RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 24V تحقيق
RJ1S-C-A24 Image RJ1S-C-A24 IDEC RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 24V تحقيق
RJ1S-CD-D24 Image RJ1S-CD-D24 IDEC RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 24V تحقيق
RJ1S-CL-A120 Image RJ1S-CL-A120 IDEC RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 120V تحقيق
RJ1S-CD-D12 Image RJ1S-CD-D12 IDEC RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 12V تحقيق
RJ1S-CLD-D24 Image RJ1S-CLD-D24 IDEC RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 24V تحقيق
RJ1632FR005CS Samsung Electro-Mechanics America, Inc. RES 0.005 OHM 1% 1W 1206 WIDE تحقيق
RJ1V-A-D24 Image RJ1V-A-D24 IDEC RELAY GEN PURPOSE SPST 12A 24V تحقيق
RJ1632FR010CS Samsung Electro-Mechanics America, Inc. RES 10M OHM 1% 1W 1206 WIDE تحقيق
RJ1V-A-A120 Image RJ1V-A-A120 IDEC RELAY GEN PURPOSE SPST 12A 120V تحقيق
RJ1220FR050CS Samsung Electro-Mechanics America, Inc. RES 50M OHM 1% 1/2W 0805 WIDE تحقيق
RJ1S-CL-D24 Image RJ1S-CL-D24 IDEC RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 24V تحقيق
RJ1632FR050CS Samsung Electro-Mechanics America, Inc. RES 50M OHM 1% 3/4W 1206 WIDE تحقيق

Latest الأخبار