RGL41K-E3/96 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RGL41K-E3/96، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RGL41K-E3/96 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RGL41K-E3/96 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RGL41K-E3/96
- رقم القطعة:
- RGL41K-E3/96
- الصانع:
- وصف:
- DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40839 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.RGL41K-E3/96.pdf2.RGL41K-E3/96.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1A |
| الجهد - انهيار: | DO-213AB |
| سلسلة: | SUPERECTIFIER® |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | 15pF @ 4V, 1MHz |
| الاستقطاب: | DO-213AB, MELF (Glass) |
| اسماء اخرى: | RGL41K-E3/96-ND RGL41K-E3/96GITR RGL41KE396 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 500ns |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 21 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | RGL41K-E3/96 |
| وصف موسع: | Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-213AB |
| تكوين الصمام الثنائي: | 5µA @ 800V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.3V @ 1A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 800V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRGL41K-E3/96
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC