RER45F2R80RCSL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RER45F2R80RCSL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RER45F2R80RCSL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RER45F2R80RCSL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RER45F2R80RCSL
- رقم القطعة:
- RER45F2R80RCSL
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- RES CHAS MNT 2.8 OHM 1% 10W
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 20597 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RER45F2R80RCSL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±50ppm/°C |
| حجم / البعد: | 0.750" L x 0.800" W (19.05mm x 20.32mm) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-39009, RER45 |
| وضع لوحة: | 2.8 Ohms |
| السلطة (واتس): | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Axial, Box |
| اسماء اخرى: | RER45F2R80RCSL-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 250°C |
| تصاعد ميزة: | Flanges |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| قيادي نمط: | Solder Lugs |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.405" (10.29mm) |
| الميزات: | Military, Moisture Resistant, Non-Inductive |
| معدل الفشل: | R (0.01%) |
| وصف تفصيلي: | 2.8 Ohms ±1% 10W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| تركيب: | Wirewound |
| طلاء، نوع السكن: | Aluminum |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRER45F2R80RCSL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RER45F3010RC02 | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 301 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F3010PC02 | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 301 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F2R55RCSL | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 2.55 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F2R94MC02 | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 2.94 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F2R87RCSL | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 2.87 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F3010RCSL | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 301 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F2R49RCSL | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 2.49 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F3010PCSL | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 301 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F2R49RC02 | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 2.49 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F2R55RC02 | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 2.55 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F3050RC02 | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 305 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F2R94MCSL | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 2.94 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F2R70MCSL | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 2.7 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F2R87RC02 | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 2.87 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F2R43RCSL | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 2.43 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F2R80RC02 | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 2.8 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F2R61RCSL | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 2.61 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F2R61RC02 | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 2.61 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F3010MC02 | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 301 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
RER45F2R43RC02 | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 2.43 OHM 1% 10W | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025