RAVF104DJT4K70 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RAVF104DJT4K70، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RAVF104DJT4K70 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RAVF104DJT4K70 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RAVF104DJT4K70
- رقم القطعة:
- RAVF104DJT4K70
- الصانع:
- Stackpole Electronics, Inc.
- وصف:
- RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 0804
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47928 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.RAVF104DJT4K70.pdf2.RAVF104DJT4K70.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±5% |
| معامل درجة الحرارة: | ±200ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm) |
| سلسلة: | RAVF |
| المقاوم نسبة-الانجراف: | - |
| نسبة مطابقة المقاوم: | - |
| المقاومة (أوم): | 4.7k |
| قوة لكل عنصر: | 62.5mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 0804, Convex, Long Side Terminals |
| اسماء اخرى: | RAV 104D 4.7K 5% R RAV104D4.7K5%R RAV104D4.7K5%R-ND RAV104D4.7KJR RAV104D4.7KJR-ND RAVF104DJT4K70-ND RAVF104DJT4K70TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 155°C |
| عدد من المقاومات: | 4 |
| عدد من الدبابيس: | 8 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.020" (0.50mm) |
| وصف تفصيلي: | 4.7k Ohm ±5% 62.5mW Power Per Element Isolated 4 Resistor Network/Array ±200ppm/°C 0804, Convex, Long Side Terminals |
| الدائرة نوع: | Isolated |
| التطبيقات: | Automotive AEC-Q200 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRAVF104DJT4K70
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC