R7FS3A77C3A01CNB#AC1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل R7FS3A77C3A01CNB#AC1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل R7FS3A77C3A01CNB#AC1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء R7FS3A77C3A01CNB#AC1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
R7FS3A77C3A01CNB#AC1
- رقم القطعة:
- R7FS3A77C3A01CNB#AC1
- الصانع:
- Renesas Electronics America
- وصف:
- IC MCU 32BIT 1MB FLASH 64WFQFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 33596 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- R7FS3A77C3A01CNB#AC1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 1.6 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 64-HWQFN (8x8) |
| سرعة: | 48MHz |
| سلسلة: | Renesas Synergy™ S3 |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 192K x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | FLASH |
| برنامج حجم الذاكرة: | 1MB (1M x 8) |
| الأجهزة الطرفية: | DMA, LVD, POR, PWM, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 64-WFQFN Exposed Pad |
| نوع مذبذب: | Internal |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 50 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM الحجم: | 16K x 8 |
| وصف تفصيلي: | ARM® Cortex®-M4 Renesas Synergy™ S3 Microcontroller IC 32-Bit 48MHz 1MB (1M x 8) FLASH 64-HWQFN (8x8) |
| محولات البيانات: | A/D 18x14b, D/A 2x12b |
| الحجم الأساسية: | 32-Bit |
| النواة: | ARM® Cortex®-M4 |
| الاتصال: | CANbus, I²C, IrDA, MMC/SD, SCI, SPI, UART/USART, USB |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لR7FS3A77C3A01CNB#AC1
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC