العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الثنائيات الصمامات--واحد > R6030835ESYA
R6030835ESYA
رقم القطعة:
R6030835ESYA
الصانع:
Powerex, Inc.
وصف:
DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
50335 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
R6030835ESYA.pdf
تحقيق

المقدمة

R6030835ESYA متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل R6030835ESYA، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل R6030835ESYA عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء R6030835ESYA مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.5V @ 800A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):800V
تجار الأجهزة حزمة:DO-205AB, DO-9
سرعة:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):2µs
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:DO-205AB, DO-9, Stud
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-45°C ~ 150°C
تصاعد نوع:Chassis, Stud Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف تفصيلي:Diode Standard 800V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:50mA @ 800V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):350A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:-
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لR6030835ESYA

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
R6030KNX Image R6030KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM تحقيق
R6030MNX Image R6030MNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM تحقيق
R6030622PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB تحقيق
R6030KNZ1C9 Image R6030KNZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 تحقيق
R6031025HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 تحقيق
R6030422PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB تحقيق
R6030625HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB تحقيق
R6030KNZC8 Image R6030KNZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF تحقيق
R6030ENZC8 Image R6030ENZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF تحقيق
R6030KNXC7 Image R6030KNXC7 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM تحقيق
R6030825HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB تحقيق
R6030ENZ1C9 Image R6030ENZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO247 تحقيق
R6030225HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB تحقيق
R6030822PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB تحقيق
R6030435ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB تحقيق
R6030235ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB تحقيق
R6031022PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 تحقيق
R6030425HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB تحقيق
R6030635ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB تحقيق
R6030ENX Image R6030ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220 تحقيق

Latest الأخبار