العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > R6004ENDTL
R6004ENDTL
R6004ENDTL
رقم القطعة:
R6004ENDTL
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
39226 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
R6004ENDTL.pdf
تحقيق

المقدمة

R6004ENDTL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل R6004ENDTL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل R6004ENDTL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء R6004ENDTL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 1mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:CPT3
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:980 mOhm @ 1.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):20W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:R6004ENDTLTR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:250pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:15nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف تفصيلي:N-Channel 600V 4A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لR6004ENDTL

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
R6004KNJTL Image R6004KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263 تحقيق
R6002END3TL1 Image R6002END3TL1 LAPIS Semiconductor NCH 600V 2A POWER MOSFET تحقيق
R6004ENJTL Image R6004ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A LPT تحقيق
R6002225XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 تحقيق
R6004ENX Image R6004ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A TO220 تحقيق
R6002ENDTL Image R6002ENDTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3 تحقيق
R6006ANDTL Image R6006ANDTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 6A CPT تحقيق
R6002025XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 تحقيق
R6007ENX Image R6007ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A TO220 تحقيق
R6002030XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205 تحقيق
R6007ENJTL Image R6007ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A LPT تحقيق
R6002625XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 تحقيق
R6001830XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205 تحقيق
R6004KNX Image R6004KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM تحقيق
R6007KNJTL Image R6007KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263 تحقيق
R6006ANX Image R6006ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM تحقيق
R6004CNDTL Image R6004CNDTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A CPT تحقيق
R6002425XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205 تحقيق
R6001825XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 تحقيق
R6007KNX Image R6007KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM تحقيق

Latest الأخبار