R5011FNX متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل R5011FNX، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل R5011FNX عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء R5011FNX مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
R5011FNX
- رقم القطعة:
- R5011FNX
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48373 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- R5011FNX.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220FM |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 520 mOhm @ 5.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 50W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 950pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 30nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 500V 11A (Ta), 5.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Ta), 5.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لR5011FNX
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
R5011ANJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | تحقيق |
 |
R5011415XXZT | Powerex, Inc. | RECTIFIER 1400V 150A DO-8 REV | تحقيق |
 |
R5011410XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO205 | تحقيق |
 |
R5016ANX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM | تحقيق |
|
R5013ANXFU6 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM | تحقيق |
|
R5011215XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DO205 | تحقيق |
|
R5019ANJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 19A LPTS | تحقيق |
|
R5011610XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 100A DO205 | تحقيق |
|
R5020218FSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 175A DO205AA | تحقيق |
|
R5011415XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO205 | تحقيق |
|
R5011ANX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11A TO220 | تحقيق |
|
R5016FNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM | تحقيق |
|
R5011210XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205 | تحقيق |
|
R5011615XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO205 | تحقيق |
|
R5020213LSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA | تحقيق |
|
R5016FNJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 16A LPT | تحقيق |
|
R5011FNJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11A LPT | تحقيق |
|
R5020210RSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA | تحقيق |
|
R5016ANJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | تحقيق |
|
R5013ANJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة