R10S-E2Y2-J2.5K متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل R10S-E2Y2-J2.5K، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل R10S-E2Y2-J2.5K عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء R10S-E2Y2-J2.5K مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
R10S-E2Y2-J2.5K
- رقم القطعة:
- R10S-E2Y2-J2.5K
- وصف:
- RELAY GEN PURPOSE DPDT 3A 12V
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45337 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.R10S-E2Y2-J2.5K.pdf2.R10S-E2Y2-J2.5K.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| بدوره على الجهد (ماكس): | 7.25 VDC |
| إيقاف الجهد (الحد الأدنى): | - |
| إنهاء نمط: | PC Pin |
| تحويل الجهد: | 120VAC, 30VDC - Max |
| سلسلة: | R10 |
| نوع التقوية: | General Purpose |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| اسماء اخرى: | 8-1393769-3 8-1393769-3-ND 813937693 R10S-E2Y2-J2.5K-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 75°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 23 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 12VDC Coil Through Hole |
| اتصل التصويت (الحالي): | 3A |
| اتصل المواد: | Silver (Ag) |
| نموذج الاتصال: | DPDT (2 Form C) |
| لفائف الجهد: | 12VDC |
| لفائف نوع: | Non Latching |
| لفائف المقاومة: | 2.5 kOhms |
| لفائف السلطة: | - |
| لفائف الحالي: | 2.9mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لR10S-E2Y2-J2.5K
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل